UV-LED封装和系统设计技术分析

时间:2021-01-13 00:15 作者:网站登陆
本文摘要:UV-LED每芯片的面积小,易于灵活设计。但是,合适的是单芯片的放射功率也低,在很多应用中无法应对低电磁放射功率密度的排斥,这也是现在的UV-LED在很多领域难以代替UV放电灯的最重要的原因之一。因此,随着UV-LED的发展,PCB和系统设计也备受瞩目。 德国KIT的Schneider等人明确提出了在98个陶瓷基板上搭载395nm的LED芯片密集PCB,能够构筑高电磁辐射功率密度的低功率密度UV-LED模块。前98个LED芯片如图所示,通过银浆PCB位于氧化铝陶瓷基板上。

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UV-LED每芯片的面积小,易于灵活设计。但是,合适的是单芯片的放射功率也低,在很多应用中无法应对低电磁放射功率密度的排斥,这也是现在的UV-LED在很多领域难以代替UV放电灯的最重要的原因之一。因此,随着UV-LED的发展,PCB和系统设计也备受瞩目。

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德国KIT的Schneider等人明确提出了在98个陶瓷基板上搭载395nm的LED芯片密集PCB,能够构筑高电磁辐射功率密度的低功率密度UV-LED模块。前98个LED芯片如图所示,通过银浆PCB位于氧化铝陶瓷基板上。各个LED芯片的输出功率为1.65W,工作电流为500mA,结温为25,输入放射功率为375mW。

98个芯片串联连接,模块整体的输出功率仅次于162W,PCB面积为2.11cm2,热输出密度超过59.2W/cm2。


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